دانلود تحقیقات انجام شده جهت لایه نشانی توسط دستگاه پلاسمای کانونی

دانلود تحقیقات انجام شده جهت لایه نشانی توسط دستگاه پلاسمای کانونی

فرمت قابل ویرایش ورد  Word

تعداد صفحات: ۲۴ صفحه

خلاصه ای از فایل

تشکیل کربیدتیتانیوم (TiC) بر روی زیرلایه تیتانیوم از طریق کاشت یون

در اینجا موضوع را با ذکر یک مثال بررسی می کنیم. شکل گیری کربیدتیتانیوم (TiC) بر روی زیرلایه تیتانیوم فلزی به وسیله یک دستگاه پلاسمای کانونی نوع مدر مجهز به منبع کربن (گرافیت) مورد خاصی است که اندکی توضیح داده خواهد شد.

زیرلایه در بالای محفظه ی خلاء قرار داشته و با یون های آرگون و کربن حاصل از شات های متعدد مورد تابش قرار گرفته است و در نتیجه کربید تیتانیوم در دمای اتاق بر روی زیر لایه کاشته شده است. روند کار، استفاده از یون های کربن ساتع شده از گرافیت، به وسیله گرمایش با پلاسمای بسیار داغ تولید شده است.

اجزاء این دستگاه عبارتند از:

× یک محفظه ی خلاء که شامل الکترودهایی گرداگرد هم، به صورت محوری است. یک آند توخالی با شش کاتد میله ای که به صورت قرینه آن را احاطه کرده اند این سیستم را تشکیل می دهند.

× یک منبع تغذیه ولتاژ بالا برای شارژ خازن.

× یک سوییچ اسپارک گپ^[۲] که مانند یک سوییچ سریع برای تخلیه ی خازن عمل می کند.

× یک ماشه الکترونیکی  ^[۳] برای فعال سازی اسپارک گپ.

در اینجا محفظه ی دستگاه با گاز آرگون در فشار Pa80 پر شده است. یک دیسک گرافیت با قطر mm15 و ضخامت mm5 در داخل نوک آند قرار گرفته است. همچنین یک میله استوانه ای برنجی که دارای یک نگهدارنده ی زیرلایه است در شکل مشاهده می شود. این میله می تواند به سمت بالا و پایین محور آند حرکت کرده و باعث تنظیم فاصله ی زیرلایه از نوک آند شود. همان گونه که مشاهده می شود یک حائل بین نوک آند و زیرلایه قرار می گیرد تا از برخورد یون های کم انرژی به زیرلایه که در چند شات اول تولید می شوند، اجتناب شود.

فهرست

تشکیل کربیدتیتانیوم (TiC) برروی لایه تیتانیوم از طریق کاشت یون

 تشکیل کربید سیلیکون برروی زیرلایه سیلیسیوم از طریق کاشت یون

 تأثیر تابش پالس‌های یونی پرانرژی برروی زیرلایه سیلیسیوم

 بهینه‌سازی دستگاه پلاسمای کانونی به‌عنوان منبع پرتوی الکترونی برای لایه‌نشانی فیلم‌های نازک

 نیتریده‌سازی به کمک دستگاه پلاسمای کانونی

 لایه‌نشانی نانولایه‌ها بوله دستگاه پلاسمای کانونی