no-img
ام ای پدیا

دانلود سمینار طبقه بندی و روش های سنتر نانو مواد


ام ای پدیا

ادامه مطلب

DOC
دانلود سمینار طبقه بندی و روش های سنتر نانو مواد
doc
اردیبهشت ۱۷, ۱۳۹۶
هر صفحه 100 تومان
تعداد صفحات: 36 صفحه
۳,۵۰۰ تومان
۳,۵۰۰ تومان – خرید

دانلود سمینار طبقه بندی و روش های سنتر نانو مواد


دانلود سمینار طبقه بندی و روش های سنتر نانو مواد

فرمت قابل ویرایش ورد  Word

تعداد صفحات: ۳۶ صفحه

خلاصه ای از فایل

نانوساختارهای اکسیدروی

اکسید روی یک نیم‌رسانای شفاف است که دارای گاف انرژی مستقیم در حدود ۳۷/۳  الکترون ولت در دمای اتاق می‌باشد، چنین گاف انرژی بزرگی باعث می‌شود که نانو‌ساختارهای اکسید‌روی بهترین کاندیدا برای ساخت لیزرهای ماوراء بنفش باشند.

اگر چه گاف انرژی اکسید روی نزدیک گاف انرژی GaN که در حدود ۴۴/۳ الکترون ولت است اما آنچه که اکسید روی را منحصر به فرد می‌سازد انرژی بستگی اکسیتونی بزرگ آن است که mev 60  می‌باشد و بسیار بزرگتر از مقدار مربوط به  GaN  است که mev 21 می‌باشد. افزودن آلاینده‌های مناسب می‌تواند سبب تغییر اندازه گاف انرژی و ویژگی های فیزیکی آن شود. هم چنین به علت این که این نیم رسانا ذاتاً از نوع n است می‌توان با رشد آن بر روی یک زیر لایه ی نوعp  به راحتی یک دیود ساخت.

علاوه بر این به علت قطبی بودن ساختار بلوری اکسید‌روی این نوع ساختارها خاصیت پیزوالکتریک دارند در نتیجه این مواد می‌توانند در ساخت وسایل پیزوالکتریک نیز مورد استفاده قرار بگیرند. مصارف زیاد اکسید‌روی مربوط به عایق بودن آن در مقابل جریان الکتریسیته، رسانایی گرمایی بالا، خاصیت چسبندگی خوب، قدرت پوشش عالی، مقاومت کافی در مقابل پرتوهای ماورای بنفش، داشتن ثابت دی‌الکتریک متوسط و ضریب شکست بالای آن است.

به عنوان نمونه کاربردهای فراوانی در ساخت قطعاتی مانند گسیلنده‌های نوری فرابنفش، قطعات الکتریک شفاف با توان بالا، مبدل‌های پیزوالکتریک، حسگرهای شیمیایی، پنجره‌های هوشمند، سلول‌های خورشیدی گراتزل[۱]، استفاده در صنعت چاپ وصنایع رنگرزی دارد.

بیشتر روش‌هایی که برای تولید مواد نانوساختارهای اکسیدروی مورد استفاده قرار می‌گیرد، محدودیت‌های آزمایشگاهی زیادی دارند و بعضاً مشکل می‌باشند. بطور مثال برخی از این روش‌ها، روش‌هایی پر هزینه و گران می‌باشند و باید در یک شرایط آزمایشگاهی ویژه مثل فشار و دمای بالا، خلاء بسیار زیاد و دیگر شرایط فیزیکی و شیمیایی متفاوت انجام گیرند.

این محدودیت‌ها باعث می‌شود نتوانیم به نانوساختار ایده‌آل خود دست یابیم و نکته مهم دیگری نیز که باید به آن اشاره کنیم عدم کنترل فرآیند تولید مواد نانوساختار با استفاده از این روش‌ها می‌باشد.

در این پایان‌نامه قصد داریم از روش‌های الکتروانباشت و هیدروترمال در مرحله اول بصورت جداگانه استفاده کرده و در مرحله‌ی بعد  نانوساختارهای ترکیبی اکسیدروی را در دماهای مختلف تولید کنیم. همچنین خواص ساختاری و مورفولوژی ساختارهای تولید شده  با میکروسکوپ‌ الکترونی روبشی را  مورد مطالعه قرار داد.

نتایج حاصل نشان دادند که نانو‌ساختارهای تولید شده بدون هیچ‌گونه ناخالصی و با مورفولوژی‌های بسیار متنوع تولید شده‌اند که نشان‌دهنده‌ی زیاد شدن نسبت سطح به حجم می‌باشد. هدف از تولید این نانو‌ساختارها، استفاده آن‌ها در قطعات فوتوولتایی است. در اینجا بهبود عملکرد قطعات فوتوولتایی، از جمله سلول خورشیدی، با استفاده از نانوساختارها را می‌توان داشت.

فهرست

مقدمه. ۲

۱- ۱-  مقدمه ای بر نانوفناوری.. ۲

۱-۲-  فناوری نانو و همگرایی علمی.. ۳

۱-۲-۱-  نانو فناوری مرطوب… ۳

۱-۲-۲- نانو فناوری خشک…. ۳

۱-۲-۳- نانو فناوری تخمینی (محاسبه‌ای). ۴

۱- ۳-  لزوم توجه به مقیاس نانوساختار. ۴

۱- ۴-  نانوساختارهای اکسیدروی.. ۵

۱- ۵-  معرفی فصلهای آینده. ۶

فصل دوم. ۸

طبقه بندی و روش‌های سنتر نانو مواد. ۸

۲-۱-  مقدمه. ۸

۲-۲-  طبقه بندی نانو مواد از نظر ابعاد. ۹

۲-۲-۱- نانو مواد صفر بعدی.. ۹

۲-۲-۲- نانو مواد یک بعدی.. ۱۰

۲-۲-۳- نانو مواد دو بعدی.. ۱۰

۲-۲-۴- نانو مواد سه بعدی.. ۱۱

۲-۳- روشهای سنتر عناصر پایه. ۱۱

۲-۳-۱- روش بالا به پایین… ۱۲

۲-۳-۱-۱- تغییر شکلدهی پلاستیکی شدید  (SPD). 13

۲-۳-۱-۲- آسیابهای پرانرژی.. ۱۳

۲-۳-۱-۳- لیتوگرافی.. ۱۴

۲-۳-۱-۴- سونش…. ۱۵

۲-۳-۲- روش پایین به بالا.. ۱۵

۲-۳-۲-۱- روش‌های فیزیکی تبخیری.. ۱۸

۲-۳-۲-۱-۱- روش تبخیر گرمایی.. ۱۹

۲-۳-۲-۱- ۲- روش تبخیر توسط باریکهی الکترونی.. ۲۰

۲-۳-۲-۱- ۳-  روش برآرایی توسط باریکه مولکولی (MBE). 21

۲-۳-۲-۱-۵ –  روش تبخیر به کمک شعاع یونی (IBAD). 23

۲-۳-۲-۲ – روش کندوپاش…. ۲۴

۲-۳-۲-۲ – ۱- روش کندوپاش با جریان مستقیم (DC). 26

۲-۳-۲-۲ -۲- روش کندوپاش با امواج رادیویی (RF). 26

۲-۳-۲-۳- روش چرخشی ( اسپینی ). ۲۸

۲-۳-۲-۴- روش  سل –  ژل.. ۲۹

۲-۳-۲-۵- هیدروترمال.. ۳۰

۲-۳-۲-۶- آندایزکردن.. ۳۱

۲-۳-۲-۷- روش صفحه گذاری.. ۳۱

۲-۳-۲-۷- ۱- روش صفحه گذاری با الکتریسیته ( الکترولیز ). ۳۲

۲-۳-۲-۷- ۲- صفحه گذاری بدون الکتریسیته. ۳۲

۲-۳-۲-۸-  روش‌های شیمیایی تبخیری.. ۳۳



موضوعات :
فیزیک

مطالب مرتبط


دیدگاه ها


پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *